“Intel” uvodi u proizvodnju revolucionarne 3D tranzistore

Povezani članci

• Majka hrabrost
• Britanska vlada: Na Fejs i druge društvene mreže prijavite se lažno!
• STANUJEM U CRKVI ZA 300 EURA MJESEČNO
• Kia Pro Cee’d GT – novi rival Golfa GTI
• 7 pravila za ostvarenje seksualnih fantazija
• Hotel sa 10.000 soba nikad nije ugostio nijednog posjetioca

Kompanija “Intel” danas je objavila da će prvi put od pronalaska tranzistora prije 50 godina, u široku proizvodnju ući tranzistori sa trodimenzionalnom strukturom.
   
“Intel” će u proizvodnju uvesti revolucionarni 3-D tranzistor nazvan “Tri-Gate”, koji će biti sastavni dio čipova nazvanih “Ivy Bridge”, pri čemu će biti primjenjivana 22- nanometarska tehnologija izrade.
    
Trodimenzionalni “Tri-Gate” tranzistori predstavljaju fundamentalni prelazak sa dvodimenzionalne strukture tranzistora, koja je korištena ne samo u kompjuterima, mobilnim telefonima i potrošačkoj elektronici, već i za elektronsku kontrolu u automobilima, svemirskim letjelicama, kućnim aparatima, medicinskim uređajima i hiljadama drugih uređaja.
   
“Intelovi” naučnici i inženjeri ponovo su redefinisali tranzistor, ovaj put koristeći treću dimenziju, izjavio je predsjednik i izvršni direktor kompanije Pol Otelini.    

„Nevjerovatni uređaji koji će promeniti svijet, biće kreirani zahvaljujući ovom pronalasku, dok Murov zakon napreduje ka novim područjima;” kazao je on.
   
Naučnici su odavno uvidjeli prednosti 3-D strukture za održanje razvoja Murovog zakona budući da su dimenzije uređaja postale tako male da su fizički zakoni postali smetnja napretku.
   
Murov zakon predstavlja prognozu napretka i razvoja silicijumske tehnologije koja kaže da će otprilike svake dvije godine gustina tranzistora biti udvostručena, dok će funkcionalnost i performanse biti uvećane, a troškovi umanjeni.
   
Murov zakon postao je osnovni poslovni model u industriji poluprovodnika u poslijednjih 40 godina.
   
Intelovi 3-D tranzistori omogućuju čipovima da rade na manjim naponima struje, omogućujući nevjerovatnu kombinaciju poboljšanih performansi i energetske efikasnosti u poređenju sa prethodnom generacijom.
   
Nove mogućnosti daju dizajnerima čipa fleksibilnost da biraju tranzistore namjenjene manjoj potrošnji energije ili visokim performansama, u zavisnosti od primjene.
   
Tranzistori od 22 nanometra pružaju do 37 odsto unaprijeđene perfromanse pri niskom naponu, naspram Intelovih 32 nanometarskih tranzistora.
   
Procesor “Ivy bridge” biće spreman za masovnu proizvodnju do kraja ove godine.
   
Taj silicijumski tehnološki pronalazak doprinjeće pojavi više visoko integrisanih proizvoda zasnovanih na “Intel atom”  procesorima, koji unaprijeđuju performanse, funkcionalnost i softverske mogućnosti uređaja.